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半导体芯片检测的“透视眼”
日期：2025-10-05 05:32
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摘要：
近红外一般定义为700-1600nm波长范围内的光线，由于硅传感器的上限约为1100nm，砷化铟镓（InGaAs）传感器是在近红外中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、雾和硅等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。
使用显微镜的近红外（NIR）成像可透过厚度高达650微米的硅进行成像，成为检测电子设备和半导体的一种强有力的方式。微电子设备的典型故障分析方案要求能透过硅对电路图进行无损检测，同时保持成品...
近红外一般定义为700-1600nm波长范围内的光线，由于硅传感器的上限约为1100nm，砷化铟镓（InGaAs）传感器是在近红外中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、雾和硅等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。
使用显微镜的近红外（NIR）成像可透过厚度高达650微米的硅进行成像，成为检测电子设备和半导体的一种强有力的方式。微电子设备的典型故障分析方案要求能透过硅对电路图进行无损检测，同时保持成品的机械整合性。
使用近红外成像的典型电子设备检测包括：
· 产品内部的短路检测（如烧蚀标记、压力指标）
· 键合对准（分析薄键合电路之间的对齐标记和粘结晶圆的对齐）
· 电气测试后的检测（任何类型的故障）
· 芯片损坏评估（如原料缺陷、污染）
· 微电子机械系统（MEMS）检测，如粘结晶圆内的设备结构、孔洞和缺陷探测以及实时机械移动状态成像
